Свежие записи
12 мая 2022

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

20 апреля 2022

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

14 апреля 2022

Автор: Раздел: Атомно-силовая микроскопия

28 марта 2022

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

09 февраля 2022

Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия

24 января 2022

Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия

01 декабря 2021

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

Подписка на новые статьи


Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете условия «Соглашения на обработку персональных данных».

Блог — Атомно-силовая микроскопия

От материаловедения до биологических исследований ученые применяют силовую микроскопию с зондом Кельвина (KPFM) для измерения поверхностного потенциала и рабочих функций. KPFM следует принципу работы электростатической силовой микроскопии (EFM).

Читать далее

Среди двумерных материалов дихалькогениды переходных металлов (TMD) состоят из одного слоя переходных металлов M, зажатого между двумя слоями атомов халькогена X, образуя химическую формулу.

Читать далее

Данная статья, основанная на публикациях Суханова и др.: «Анизотропная фрактальная картина магнитных доменов в объеме Mn1.4PtSn» и Zuniga Cespedes и др.: «Критическое соотношение сторон образца и зависимость от магнитного поля для образования антискирмиона в монокристаллах Mn1.4PtSn», фокусируется на геометрическом влиянии на образование антискирмиона в тетрагональном соединении Гейслера Mn1.4PtSn [3, 4].

Читать далее

Двумерные (2D) материалы, в том числе полуметаллический графен, полупроводниковые дихалькогениды переходных металлов (TMD) и изолирующий гексагональный нитрид бора (hBN), в последние годы изучались как инновационные с электрической или фотонной точки зрения материалы.

Читать далее

Иодид свинца метиламмония (MAPbI3), впервые описанный в 1987 г. и с 2009 г. успешно применяемый в фотоэлектрических (PV) устройствах [1, 2], кристаллизуется в тетрагональной структуре перовскита при комнатной температуре [3]. Поскольку перовскиты часто обладают ферроидными свойствами, а MAPbI3 дополнительно имеет полярный центральный ион метиламмония (2.3D) [4], исследователи давно обсуждают возможную сегнетоэлектрическую и сегнетоэластическую природу материала [5-7].

Читать далее

В обычном планарном кремниевом полевом транзисторе (FET) управляемость затвором становится слабее, когда его поперечный размер становится меньше, чем толщина транзистора, что приводит к неблагоприятным эффектам короткого канала, включая ток утечки, насыщение подвижности носителей в канале, канальная деградация горячих носителей и зависящий от времени пробой диэлектрика.

Читать далее

В данной статье мы представляем результаты, полученные с помощью AM-KPFM и боковой KPFM на четко определенных образцах с протяженными участками с различными поверхностными потенциалами. На основе этих результатов мы напрямую сравниваем пространственное разрешение AM-KPFM и боковой KPFM в идентичных условиях.

Читать далее

Фазовая автоматическая подстройка частоты – это мощный метод, позволяющий синхронизировать несколько измерений таким образом, что несколько сигналов могут быть получены в один и тот же момент времени. Комбинация фазовой автоматической подстройки частоты (ФАПЧ / PLL) с атомно-силовой микроскопией (АСМ) обеспечивает такие возможности, как АСМ с частотной модуляцией (FM), которая позволяет исследователям наблюдать динамические свойства колеблющегося кантилевера, которые могут использоваться для количественной оценки измерений поверхностного потенциала.

Читать далее

В данной статье демонстрируется исследование двух различных образцов с помощью атомно-силового микроскопа NX-Hivac компании Park Systems и показывается преимущество высокого вакуума для измерений в режимах C-AFM и SSRM. Результаты показывают улучшенную чувствительность и разрешение при измерениях в условиях высокого вакуума по сравнению с измерениями на воздухе.

Читать далее

Исследование показало, что сканирующая микроскопия сопротивления растеканию (SSRM) и сканирующая емкостная микроскопия (SCM) могут решить проблемы двумерного профилирования носителей заряда в современных электронных устройствах, имеющих характерные структуры размерами порядка 10 нм, при условии выбора правильного инструмента для анализа.

Читать далее