Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: Раздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ВикторРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете условия «Соглашения на обработку персональных данных».
Блог — Атомно-силовая микроскопия
От материаловедения до биологических исследований ученые применяют силовую микроскопию с зондом Кельвина (KPFM) для измерения поверхностного потенциала и рабочих функций. KPFM следует принципу работы электростатической силовой микроскопии (EFM).
Читать далееСреди двумерных материалов дихалькогениды переходных металлов (TMD) состоят из одного слоя переходных металлов M, зажатого между двумя слоями атомов халькогена X, образуя химическую формулу.
Читать далееДанная статья, основанная на публикациях Суханова и др.: «Анизотропная фрактальная картина магнитных доменов в объеме Mn1.4PtSn» и Zuniga Cespedes и др.: «Критическое соотношение сторон образца и зависимость от магнитного поля для образования антискирмиона в монокристаллах Mn1.4PtSn», фокусируется на геометрическом влиянии на образование антискирмиона в тетрагональном соединении Гейслера Mn1.4PtSn [3, 4].
Читать далееДвумерные (2D) материалы, в том числе полуметаллический графен, полупроводниковые дихалькогениды переходных металлов (TMD) и изолирующий гексагональный нитрид бора (hBN), в последние годы изучались как инновационные с электрической или фотонной точки зрения материалы.
Читать далееИодид свинца метиламмония (MAPbI3), впервые описанный в 1987 г. и с 2009 г. успешно применяемый в фотоэлектрических (PV) устройствах [1, 2], кристаллизуется в тетрагональной структуре перовскита при комнатной температуре [3]. Поскольку перовскиты часто обладают ферроидными свойствами, а MAPbI3 дополнительно имеет полярный центральный ион метиламмония (2.3D) [4], исследователи давно обсуждают возможную сегнетоэлектрическую и сегнетоэластическую природу материала [5-7].
Читать далееВ обычном планарном кремниевом полевом транзисторе (FET) управляемость затвором становится слабее, когда его поперечный размер становится меньше, чем толщина транзистора, что приводит к неблагоприятным эффектам короткого канала, включая ток утечки, насыщение подвижности носителей в канале, канальная деградация горячих носителей и зависящий от времени пробой диэлектрика.
Читать далееВ данной статье мы представляем результаты, полученные с помощью AM-KPFM и боковой KPFM на четко определенных образцах с протяженными участками с различными поверхностными потенциалами. На основе этих результатов мы напрямую сравниваем пространственное разрешение AM-KPFM и боковой KPFM в идентичных условиях.
Читать далееФазовая автоматическая подстройка частоты – это мощный метод, позволяющий синхронизировать несколько измерений таким образом, что несколько сигналов могут быть получены в один и тот же момент времени. Комбинация фазовой автоматической подстройки частоты (ФАПЧ / PLL) с атомно-силовой микроскопией (АСМ) обеспечивает такие возможности, как АСМ с частотной модуляцией (FM), которая позволяет исследователям наблюдать динамические свойства колеблющегося кантилевера, которые могут использоваться для количественной оценки измерений поверхностного потенциала.
Читать далееВ данной статье демонстрируется исследование двух различных образцов с помощью атомно-силового микроскопа NX-Hivac компании Park Systems и показывается преимущество высокого вакуума для измерений в режимах C-AFM и SSRM. Результаты показывают улучшенную чувствительность и разрешение при измерениях в условиях высокого вакуума по сравнению с измерениями на воздухе.
Читать далееИсследование показало, что сканирующая микроскопия сопротивления растеканию (SSRM) и сканирующая емкостная микроскопия (SCM) могут решить проблемы двумерного профилирования носителей заряда в современных электронных устройствах, имеющих характерные структуры размерами порядка 10 нм, при условии выбора правильного инструмента для анализа.
Читать далее