Коллинеарный OPA для среднего ИК диапазона ORPHEUS-ONE, ORPHEUS one
- Требования к накачке: используется лазер Pharos, Pharos-SP или Carbide
- Диапазон перестройки: 1350 – 4500 нм
- Расширенный диапазон перестройки: 4500 – 16000
- Длительность выходного импульса: 200 – 250 фс (Pharos), 120 – 190 фс (Pharos SP)
- Спектр. ширина импульса: 100 – 250 см-1
- Генерация излучения в среднем ИК в два этапа дает возможность получать большее значение ширины спектральной линии
Производитель Light Conversion
- Требования к накачке:
Используется лазер Pharos, Pharos-SP или Carbide - Диапазон перестройки:
1350 – 4500 нм - Расширенный диапазон перестройки:
4500 – 16000 - Длительность выходного импульса:
200 – 250 фс (Pharos)
120 – 190 фс (Pharos SP) - Спектр. ширина импульса:
100 – 250 см-1 - Генерация излучения в среднем ИК в два этапа дает возможность получать большее значение ширины спектральнойной линии
Отличительные особенности
Данный прибор представляет собой коллинеарный оптический параметрический усилитель (ОРА), накачиваемый фемтосекундными иттербиевыми лазерами и имеет область генерации в среднем ИК диапазоне спектра.
- Диапазон перестройки 1350 – 4500 нм
- Возможность расширения диапазона до 16000 нм
- Двойной выход для среднего ИК по сравнению со стандартным ORPHEUS
- Построен на основе зарекомендовавшего себя ОРА серии TOPAS
- Частота следования импульсов до 1 МГц
- Доступны конфигурации с широкой или ограниченной полосой генерации
- Система адаптивна к различным энергиям накачки и различной длительности импульсов
- Полное управление через ПК и соответствующее ПО
Усиление происходит в два этапа. Первый нелинейный кристалл (BBO/LBO) накачивается второй гармоникой лазера накачки (515 нм) и облучается белым светом, генерируя широкий спектральный диапазон на выходе 650 – 850 нм (первое состояние сигнальной волны) и 1350 – 2100 нм (первое состояние холостой волны). Второй нелинейный кристалл (КТА) накачивается излучением лазера на основной длине волны (1030 нм) и облучается излучением от первого состояния холостой волны. На выходе генерируется излучение в диапазоне 1350 – 2060 нм для сигнальной волны и 1450 – 2060 нм для холостой.
ORPHEUS-ONE обладает высокой степенью сжатия в ИК диапазоне благодаря энергии накачки, доступной для КТА кристалла (используется до 80% излучения накачки). Кроме того, данный ОРА объединяет в себе два стадии накачки, что делает его меньше и увеличивает долговременную стабильность.
Расширенный диапазон 4500 – 16000 нм возможно получить на втором этапе усиления за счет смешивания холостой и сигнальной волн в соответствующем кристалле (селенид галлия).
Стандартные диапозоны перестройки ORPHEUS-ONE.
Накачка: PHAROS-6W, 200 кГц, 260 фс
Технические характеристики*
| Требуемый лазер накачки | PHAROS, PHAROS-SP, CARBIDE |
| Диапазон перестройки | 1350 – 2060 нм (сигнальная), 2060 – 4500 нм (холостая) |
| Эффективность встроенного генератора второй гармоники (515 нм) |
~10 – 25% (недоступна без соответствующей модификации) |
| Эффективность преобразования на пике перестроечной кривой, сигнальная и холостая волны объединены во втором состоянии |
> 14% при энергии накачки 30 – 400 мкДж ** |
| Стабильность энергии импульса | СКО < 2% на 1450 – 4000 нм |
| Спектральная ширина импульса | 100 – 250 см-1 на 1450 – 2000 нм |
| Длительность импульса | 200 – 250 фс, при накачке PHAROS 120 – 190 фс, , при накачке PHAROS-PS |
| Приборы с широкой полосой временных частот |
< 1.0 на 1450 – 2000 нм |
* Приборы с широкой полосой временных частот, эфективность преобразования для ORPHEUS-ONE указана в процентном соотношении от входной мощности.
** Системы высокой энергии ORPHEUS-ONE доступны для энергии накачки до 2 мДж