Ионно-лучевая очистка
Технология ионно-лучевой очистки предназначена для финишной очистки поверхности подложки пучком ускоренных ионов с энергией до 1500 эВ от молекулярных частиц, адсорбированных газов, полимерных фрагментов, паров воды, а также для атомарной активации поверхностных связей подложки непосредственно перед нанесением тонкопленочного покрытия.
- Нанесение прецизионных оптических покрытий для лазерного применения
- Подложкодержатель Ø320 мм
- Равномерность покрытий ±0.5%
- Диапазон оптического контроля 350-1050 нм
- Разрешающая способность 1 нм
- До 6-ти материалов мишеней
- Комбинирование ионно-лучевого и магнетронного распыления
- Ионно-лучевая очистка
- Шлюзовая загрузка
- Встроенный оптический контроль по детали
- Зона напыления 150 мм
- Макс. размер зоны нанесения Ø200 мм
- Макс. высота подложки до 30 мм
- Неравномерность осаждения материала вплоть до 0.1%
- Оптический контроль «на пропускание»
- Шлюзовая загрузка
- Полная автоматизация
- Высоковакуумный затвор между камер
- Шлюзовая камера с системой вращения
- «Сухой» механический насос
- Откачка камер в автоматическом режиме
- Двустороннее нанесение
- Предварительная ионно-лучевая очистка
- Нагрев подложек до 400 °С
- Одновременная обработка 65 подложек
- Размер подложек 60х48 мм
- Криопанель и турбомолекулярный насос
- Замкнутая система водяного охлаждения
- Нанесение методом термического испарения
- Одностороннее либо двухстороннее напыление
- Ионно-лучевая очистка
- Нагрев подложек до 300 °C
- Высоковакуумный турбомолекулярный насос
- Очистка от органических загрязнений теневых масок
- Отличительные особенности по сравнению с технологией жидкостной очистки
- Отсутствие недоочищенных участков органики на теневой маске
- Сохранение формы и структуры маски
- Возможность использования различных технологических устройств и подложкодержателей
- Конфигурируется как для исследований, так для пилотного, мелкосерийного производства
- Оборудование идеально подходит для наненсения драгоценных металлов
- Возможность встраивания в чистую комнату
- Наличие шлюза (опция)
- Возможность использования различных технологических устройств и подложкодержателей
- Конфигурируется как для исследований, так для пилотного, мелкосерийного производства
- Оборудование идеально подходит для наненсения драгоценных металлов
- Возможность встраивания в чистую комнату
- Наличие шлюза (опция)
Применение технологии ионно-лучевой очистки гарантирует существенно более высокую степень адгезии по сравнению с традиционными методами (например, тлеющий разряд или плазменная очистка), что в итоге обеспечивает более длительную и надежную эксплуатацию деталей с покрытиями.
На фирме “Изовак разработаны ионные источники серии IBCS с различными конфигурациями ионного пучка, позволяющие проводить ионно-лучевую очистку практически любых, в том числе и крупноформатных изделий. Достоинствами такой технологии являются высокая степень равномерности обрабатываемых изделий, возможность обработки под различными углами любых подложек (металлы, полупроводники, диэлектрики, полимеры), высокая скорость очистки.