Ориентационное картирование кристаллической поверхности

Ориентационное картирование поверхности кристаллов является ценным инструментом для диагностики проблем, возникших в процессе выращивания кристаллов.

Даже в монокристалле ориентация может проявлять небольшие изменения по поверхности, которые являются результатом внутренних напряжений, вызванных дефектами решетки. Упорядоченно выращенные тонкие пленки также могут иметь интересное распределение ориентации в плоскости.

Картирование поверхности требует много измерений. В данном случае преимущество в скорости здесь показывает «Omega-scan» метод. На рисунке представлена ориентационная карта Si/Ge пластины. Максимальная разница в ориентации составляет 0.03°. Концентрические круги следуют за кольцами роста кристалла.

Приборы для ориентационного картирования поверхности кристаллов: