ТГц антенна TERA8-1 для длины волны 800 нм
- Может использоваться и как излучатель, и как детектор
- Спектральный диапазон: > 4 ТГц
- Оптимизирована для работы с излучением на длине волны порядка 800 нм
- Один диполь на каждом чипе, соединенный накруткой
Производитель Menlo Systems
Отличительные особенности
- Спектральный диапазон: > 4 ТГц
- Оптимизирована для работы с излучением на длине волны порядка 800 нм, длительностью импульса < 100 фс и частотой повторения 100 МГц
- Высокая эффективность преобразования
- Чип размещен на печатной схеме (PCB)
- Один диполь на каждом чипе, соединенный накруткой
- Подложка из GaAs, выращенного при низкой температуре (LT-GaAs)
ТГц антенна TERA8-1 представляет собой одиночный диполь. Данная антенна может использоваться и как излучатель, и как детектор. Рекомендуемый источник накачки волоконный лазер C-Fiber 780.
Области применения
- Генерация и регистрация ТГц излучения
- Построение ТГц изображения
Опции
- T8-H2: держатель для фотопроводящей ТГц антенны; включает в свой состав фокусирующую линзу для луча накачки и кремниевую линзу для ТГц излучения. Высота луча 85 мм
Рис. 1. Габаритные размеры ТГц антенны TERA8-1 (все размеры в мм).
Рис. 2. Структура ТГц антенны TERA8-1.
Рис. 3. Производительность ТГц антенны TERA8-1 (накачка: 780 нм, 100 фс; диполь 20 мкм; электрическая модуляция 1 кГц; время интегрирования 30 мс; средняя мощность излучения 10 мВт, напряжение смещения до 30 В).
Технические характеристики
| Фотопроводящий материал | LT-GaAs |
| Спектральный диапазон | > 4 ТГц |
| Структура диполя | 20 мкм |
| Размер зазора | 5 мкм |
| Размер подложки | 5 × 5 × 0.35 мм |
| Электрическое соединение | Монолитная структура на PCB1 |
| Эксплуатационные характеристики | |
| Средняя мощность излучения | < 10 мВт2 |
| Длительность импульса | < 100 фс |
| Частота следования импульсов | 100 МГц (80 – 250 МГц) |
| Напряжение смещения | ± 35 В (максимально ± 40 В) |
1 Чип закреплен на печатной плате размерами 40 × 40 мм. Отдельно может быть заказан держатель T8-H2
2 Максимальная средняя мощность излучения при 100 МГц может быть не более 10 мВт. Неправильное использование (при несоблюдении эксплуатационных характеристик) ведет к потере гарантии.