ТГц излучатель со свободным входом

  • Напряжение смещения: Макс. 50 В, типовое 40 В
  • Центральная ТГц частота: 0.5 ТГц
  • Длительность импульса: < 150 фс
  • Частота следования импульсов: 20 – 100 МГц
  • Профиль пучка: Близкий к Гауссову профилю

Производитель TERAVIL

Описание

ТГц излучатель снабжен микрополосковой фотопроводящей антенной (PCA), выполненной на основе из GaAs подложки. В зависимости от длины волны лазера накачки в качестве фотопроводника используется либо GaAs, выращенный при низкой температуре (LT-GaAs), либо GaBiAs. На поверхности данного фотопроводника формируется дипольная антенна копланарного типа (элементарный излучатель Герца), используя AuGeNi металлизацию. Геометрия фотопроводящей антенны, а также свойства фотопроводящего эпитаксиального слоя оптимизированы для получения самой высокой выходной эффективности ТГц излучения, и в то же время сохранения оптимальной ширины линии. В результате, мощность испускаемого ТГц излучения превышает 10 мкВт, если накачка осуществляется лазером с выходной мощностью 30 мВт и длительностью импульса < 150 фс.

ТГц излучатель подсвечивается лазером. Лазерный пучок должен быть сфокусирован между двумя электродами (см. рис. 1). Зазор между металлическими контактами излучателя больше диаметра лазерного пучка. ТГц излучение собирается с помощью встроенной линзы, изготовленной из кремния высокой плотности, которая крепится на специальном XY столике (см. рис. 2). TERAVIL предлагает два стандартных типа данных линз: для создания коллимированного или расходящегося выходного ТГц пучка. Во втором случае PCA размещается в апланатической точке кремниевой линзы, что уменьшает сферическую аберрацию ТГц пучка. Для позиционирования кремниевой линзы по центру PCA используются регулировочные винты. SMA разъемы на задней стороне корпуса используются для подвода переменного/постоянного напряжения смещения к ТГц излучателю. Любое из 3 отверстий с резьбой M6 может использоваться для крепления ТГц излучателя к оптическому столу (см. рис. 3).

Отличительные особенности

  1. Фотопроводящая антенна выполнена из LT-GaAs или GaBiAs
  2. Оптимизирован для длины волны вблизи 800 нм или 1060 нм
  3. Широкий спектральный диапазон и низкий уровень шума
  4. Субпикосекундное временное разрешение
  5. Поставляется с техническим паспортом

Области применения

  • ТГц спектроскопия с временным разрешением
  • Оптическая ТГц спектроскопия накачки-зондирования
  • Получение ТГц изображений

Микрополосковая фотопроводящая антенна (PCA) излучателя.

Рис. 1. Микрополосковая фотопроводящая антенна (PCA) излучателя.

Поперечное сечение ТГц излучателя.

Рис. 2. Поперечное сечение ТГц излучателя.

ТГц излучатель в сборе.

Рис. 3. ТГц излучатель в сборе.

Характеристики

Модель ТГц излучатель
EMT-08 EMT-10
Фотопроводящая антенна
Материал антенны LT-GaAs GaBiAs
Размеры подложки 5 × 1.5 мм
Толщина 600 мкм
Тип антенны полосковая
Напряжение смещения Макс. 50 В, типовое 40 В
Центральная ТГц частота ≈ 0.5 ТГц
Встроенная фокусирующая линза
Материал Высокорезистивный (HRFZ) кремний
Геометрическая форма Гиперполусфера
Выходной ТГц пучок Коллимированный или расходящийся
Подстройка XY столика ± 3 мм
Параметры излучения накачки
Длина волны возбуждения 800 ± 40 нм 1060 ± 40 нм
Средняя мощность 1) < 50 мВт < 20 мВт
Длительность импульса < 150 фс
Частота следования импульсов 20 – 100 МГц
Профиль пучка Близкий к Гауссову профилю
Диаметр пучка 2) ≈ 2 мм

1)В зависимости от длительности лазерного импульса, частоты следования и диаметра пучка на поверхности подложки.

2)Рекомендованное значение при использовании с креплением ТГц излучателя из спектроскопического комплекта компании TERAVIL.

Рис. 4. Зависимость мощности испускаемого* излучения ТГц излучателя модели EMT-08 (LT-GaAs) в зависимости от прикладываемого напряжения смещения и длины волны лазера.

Рис. 5. Зависимость мощности испускаемого* излучения ТГц излучателя модели EMT-10 (GaBiAs) в зависимости от прикладываемого напряжения смещения и длины волны лазера.

* – Измерено с помощью оптоакустического детектора модели GC-1P компании TYDEX.

ТГц излучатель, закрепленный на стандартном держателе оптики

Рис. 6. ТГц излучатель, закрепленный на стандартном держателе оптики.

Информация для заказа

Описание Модель Примечание
ТГц излучатель для длины волны 800 нм EMT-08 Имеет кремниевую линзу и коаксиальный кабель с BNC коннектором
ТГц излучатель для длины волны 1060 нм EMT-10 Имеет кремниевую линзу и коаксиальный кабель с BNC коннектором
Крепление для ТГц излучателя MNT Оснащен фокусирующим объективом пучка накачки на XYZ столик
Источник питания TMS-100M для приложения напряжения смещения TMS-100 30 – 70 В постоянного тока или прямоугольная форма выходных импульсов