Доступные стандартные виды измерений для учебного комплекса «Испускание и поглощение» серии CA-1130

Описание

Измерение зависимости выходной мощности от тока: Относительную выходную мощность лазерного диода можно измерить в зависимости от тока инжекции. Ток лазерного диода либо ступенчато увеличивается в соответствии с настройками контроллера, либо может периодически увеличиваться и уменьшаться внутренним модулятором контроллера. Относительная мощность лазера измеряется фотодетектором и оцениваются такие параметры, как порог лазерной генерации и эффективность наклона кривой выходной мощности лазера.

Спектр поглощения Nd:YAG кристалла: При изменении температуры лазерного диода изменяется длина волны его излучения. Путем сканирования длины волны лазерного диода посредством изменения температуры измеряется спектр поглощения Nd:YAG кристалла. С другой стороны, излучение лазерного диода оптически накачивает кристалл и вызывает флуоресценцию. Фильтрация излучения накачки и измерение сигнала флуоресценции при сканировании длины волны диода позволяет косвенно измерять профиль поглощения. Рассчитывается корреляция между температурой лазерного диода и сдвигом длины волны.

Зависимость длины волны от тока накачки диода: Для лазерных диодов характерно увеличение длины волны пропорционально увеличению мощности. Чтобы компенсировать такое поведение, необходимо изменять его температуру. Работа на постоянной длине волны реализуется за счет работы при минимальном поглощении (т. е. максимальном пропускании) и оптимизации температуры и тока накачки для максимального пропускания.

Измерение времени жизни люминесценции: Nd:YAG кристалл накачивается лазерным диодом на длине волны около 808 нм Уровень ⁴F_3/2 является начальным уровнем для флуоресцентного излучения на длине волны 1064 нм. С помощью фильтра перед детектором отсекается излучение накачки и может быть обнаружена флуоресценция. Ток диода модулируется через TTL и измеряется кривая затухания флуоресценции.