Лазеры InnoSlab серии IS
- Индивидуальный профиль лазерного пучка
- Качество луча M2 < 2.0
- Энергия в импульсе до 60 мДж
- Короткая длительность импульса
- Частота следования импульсов до 150 кГц
- Средняя выходная мощность до 400 Вт
- Доступно излучение на 1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм
- Компактный дизайн
Производитель EdgeWave
Описание
Серия IS включает в себя электрооптические лазеры с модуляцией добротности с диодной накачкой с пассивным охлаждением, изготовленные по технологии InnoSlab. Данные лазеры отличаются короткой длительностью импульса (до 1 нс) и средней выходной мощностью до 400 Вт.
Отличительные особенности
- Индивидуальный профиль лазерного пучка
- Качество луча M2 < 2.0
- Энергия в импульсе до 60 мДж
- Короткая длительность импульса
- Частота следования импульсов до 150 кГц
- Средняя выходная мощность до 400 Вт
- Доступно излучение на 1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм
- Компактный дизайн
Области применения
- Фотоэлектрическая отрасль: скрайбирование, сверление и резка кремниевых подложек, абляция проводящих или диэлектрических тонкопленочных солнечных элементов
- Изготовление дисплеев: структурирование проводящих слоев, резка стекла
- Электронная промышленность: сверление и резка печатных плат
- Машиностроение и 3D-быстрое прототипирование
- Научная сфера: накачка лазеров на красителях, накачка ПГС и титан-сапфировых лазеров, PIV
Классификация лазерной системы по шифру NN×××-y-AB
- NN: тип лазера (серия)
- ×××: средняя выходная мощность
Например, = 200 соответствует 200 Вт
- y: гармоника лазерного излучения
1 – основная длина волны
2 – вторая гармоника
3 – третья гармоник
4 – четвертая гармоника
- A: профиль лазерного пучка
G – круговой гауссов
L – гауссов/плоская вершина, одномерная плоская вершина
T – двумерная плоская вершина
- B: дополнительные опции
M – с внешним модулятором
D – с двойным генератором
R – с рамановским частотным преобразователем
O – с преобразователем оптической частоты
W – с выводом нескольких длин волн
Характеристики
Модель | IS×××-1 | IS×××-2 | IS×××-3 | IS×××-4 | ||
Длина волны | 1064 нм | 532 нм | 355 нм | 266 нм | ||
Качество луча, M2 | 1.1 | 1.1 | 1.6 | 2.0 | ||
Максимальная средняя мощность | 400 Вт | 200 Вт | 70 Вт | 20 Вт | ||
Максимальная частота следования импульсов | 150 кГц | 150 кГц | 15 кГц | 15 кГц | ||
Максимальная энергия импульса | 60 мДж | 30 мДж | 15 мДж | 4 мДж | ||
Минимальная длительность импульса | 1 нс | 1 нс | 1 нс | 1 нс | ||
Стабильность энергии от импульса к импульсу | СКО < 1% | СКО < 2% | СКО < 3% | СКО < 4% | ||
Контраст поляризации | > 100:1 | > 100:1 | > 100:1 | > 100:1 | ||
Эллиптичность луча (в дальнем поле) | < 10% | < 10% | < 10% | < 10% | ||
Диаметр луча на выходе | 3 мм | 3 мм | 3 мм | 3 мм | ||
Расходимость (полный угол) | 500 мкрад | 250 мкрад | 250 мкрад | 225 мкрад | ||
Точность наведения луча | < 50 мкрад | < 60 мкрад | < 50 мкрад | < 50 мкрад | ||
Время прогрева | Холодный старт | 15 мин | 20 мин | 30 мин | 30 мин | |
Теплый старт | 8 мин | 15 мин | 30 мин | 30 мин | ||
Эксплуатационные характеристики |
||||||
Источник питания | Напряжение питания | 90 – 264 В, переменный ток, 50/60 Гц | ||||
Энергопотребление | 1 – 4 кВт | |||||
Источник охлаждения | Напряжение питания | 230, 208, 115, 100 В, переменный ток, 50/60 Гц | ||||
Энергопотребление | 1 – 4 кВт | |||||
Рабочая температура | 15 – 35°C | |||||
Относительная влажность | 10 – 80%, без конденсации | |||||
Габаритные размеры лазерной головки | 650 × 178 × 157 мм | |||||
Габаритные размеры источника питания/охлаждения | 483 × 490 × 700 мм | |||||
Вес лазерной головки | 34 кг | |||||
Вес источника питания/охлаждения | 68 кг |
*Все характеристики, ввиду дальнейшего улучшения, могут быть изменены без предварительного уведомления.
Фотоэлектрическая отрасль
Лазеры используются в производстве солнечных элементов и задействованы в таких технологических процессах, как скрайбирование, удаление кромок, сверление и т. д. Благодаря высокой гибкости профиля лазерного пучка лазеры с технологией InnoSlab могут применяться для различных процессов обработки. Подробнее...
Абляция тонкопленочных слоев с помощью лазеров с различными профилями пучка: энергоэффективность и коэффициент заполнения
Тонкие пленки играют все более важную роль в современном обществе. Структурирование и формирование рельефа тонкого слоя с помощью селективной лазерной абляции является одной из ключевых технологий в производстве дисплеев и фотоэлектрических элементов. Подробнее...