Лазеры InnoSlab серии BX
- Индивидуальный профиль лазерного пучка
- Качество луча M2 < 2.0
- Энергия в импульсе до 7 мДж
- Короткая длительность импульса
- Частота следования импульсов до 100 кГц
- Средняя выходная мощность до 80 Вт
- Доступно излучение на 1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм
- Компактный дизайн
Производитель EdgeWave
Описание
Серия BX включает в себя электрооптические лазеры с модуляцией добротности с диодной накачкой с пассивным охлаждением, изготовленные по технологии InnoSlab. Данные лазеры отличаются короткой длительностью импульса (до 1 нс) и средней выходной мощностью до 80 Вт.
Отличительные особенности
- Индивидуальный профиль лазерного пучка
- Качество луча M2 < 2.0
- Энергия в импульсе до 7 мДж
- Короткая длительность импульса
- Частота следования импульсов до 100 кГц
- Средняя выходная мощность до 80 Вт
- Доступно излучение на 1064 нм, 532 нм, 355 нм, 266 нм
- Компактный дизайн
Области применения
- Фотоэлектрическая отрасль: скрайбирование, сверление и резка кремниевых подложек, абляция проводящих или диэлектрических тонкопленочных солнечных элементов
- Изготовление дисплеев: структурирование проводящих слоев, резка стекла
- Стекольная промышленность: микросверление, резка и гравирование под поверхностью
- Электронная промышленность: сверление и резка печатных плат
- Машиностроение и 3D-быстрое прототипирование
Классификация лазерной системы по шифру NN××-y-AB
- NN: тип лазера (серия)
- ××: средняя выходная мощность
Например, = 0 соответствует 0 Вт
- y: гармоника лазерного излучения
1 – основная длина волны
2 – вторая гармоника
3 – третья гармоник
4 – четвертая гармоника
- A: профиль лазерного пучка
G – круговой гауссов
L – гауссов/плоская вершина, одномерная плоская вершина
T – двумерная плоская вершина
- B: дополнительные опции
M – с внешним модулятором
D – с двойным генератором
R – с рамановским частотным преобразователем
O – с преобразователем оптической частоты
W – с выводом нескольких длин волн
Характеристики
| Модель | BX××-1 | BX××-2 | BX××-3 | BX××-4 | ||
| Длина волны | 1064 нм | 532 нм | 355 нм | 266 нм | ||
| Качество луча, M2 | 1.1 | 1.1 | 1.6 | 2.0 | ||
| Максимальная средняя мощность | 80 Вт | 40 Вт | 12 Вт | 6 Вт | ||
| Максимальная частота следования импульсов | 100 кГц | 100 кГц | 10 кГц | 10 кГц | ||
| Максимальная энергия импульса | 7 мДж | 3 мДж | 1.5 мДж | 1 мДж | ||
| Минимальная длительность импульса | 1 нс | 1 нс | 1 нс | 1 нс | ||
| Стабильность энергии от импульса к импульсу | СКО < 1% | СКО < 2% | СКО < 3% | СКО < 3% | ||
| Контраст поляризации | > 100:1 | > 100:1 | > 100:1 | > 100:1 | ||
| Эллиптичность луча (в дальнем поле) | < 10% | < 10% | < 10% | < 10% | ||
| Диаметр луча на выходе | 3 мм | 3 мм | 3 мм | 3 мм | ||
| Расходимость (полный угол) | 500 мкрад | 250 мкрад | 241 мкрад | 226 мкрад | ||
| Точность наведения луча | < 50 мкрад | < 50 мкрад | < 50 мкрад | < 50 мкрад | ||
| Время прогрева | Холодный старт | 15 мин | 20 мин | 30 мин | 30 мин | |
| Теплый старт | 8 мин | 15 мин | 30 мин | 30 мин | ||
|
Эксплуатационные характеристики |
||||||
| Источник питания | Напряжение питания | 90 – 264 В, переменный ток, 50/60 Гц | ||||
| Энергопотребление | Макс. 1 кВт | |||||
| Источник охлаждения | Напряжение питания | 230, 208, 115, 100 В, переменный ток, 50/60 Гц | ||||
| Энергопотребление | Макс. 0.7 кВт | |||||
| Рабочая температура | 15 – 35°C | |||||
| Относительная влажность | 10 – 80%, без конденсации | |||||
| Габаритные размеры лазерной головки | 420 × 190 × 110 мм | |||||
| Габаритные размеры источника питания/охлаждения | 483 × 356 × 650 мм | |||||
| Вес лазерной головки | 17 кг | |||||
| Вес источника питания/охлаждения | 56 кг | |||||
*Все характеристики, ввиду дальнейшего улучшения, могут быть изменены без предварительного уведомления.
Фотоэлектрическая отрасль
Лазеры используются в производстве солнечных элементов и задействованы в таких технологических процессах, как скрайбирование, удаление кромок, сверление и т. д. Благодаря высокой гибкости профиля лазерного пучка лазеры с технологией InnoSlab могут применяться для различных процессов обработки. Подробнее...
Стекольная промышленность
По запатентованной технологии лазерный луч подается с задней части заготовки и фокусируется на противоположной внутренней поверхности. В отличие от процессов резки и гравировки под поверхностью испаренный стеклянный материал может свободно вытекать из зоны обработки, и при соответствующем управлении лучом лазера в стекле могут быть получены очень точные и воспроизводимые отверстия с любыми поперечными сечениями. Подробнее...
Абляция тонкопленочных слоев с помощью лазеров с различными профилями пучка: энергоэффективность и коэффициент заполнения
Тонкие пленки играют все более важную роль в современном обществе. Структурирование и формирование рельефа тонкого слоя с помощью селективной лазерной абляции является одной из ключевых технологий в производстве дисплеев и фотоэлектрических элементов. Подробнее...