Нанозондирование NMOS- и PMOS-транзисторов на полупроводниковых устройствах 22, 14 и 10 нм

Из-за постоянного уменьшения размеров компонентов интегральных схем (ИС) нанозондирование в сканирующем электронном микроскопе (SEM) стало все более популярным методом. Данный метод широко используется инженерами по проектированию ИС и анализу дефектов для определения характеристик микрочипов, а также для определения местоположения и анализа первопричины дефектов.

В данном варианте применения использовали NANO solution для определения характеристик NMOS- и PMOS-транзисторов коммерчески доступных процессоров с технологическими узлами 22, 14 и 10 нм. Измерения проводили на устройстве 10 нм. Эксперименты проводились в разных участках на двух разных SEM без необходимости постоянной модификации микроскопов.

Результаты показали, что уникальная технология нанозондов miBot™ помогает с легкостью позиционировать наконечники зондов на тестируемом устройстве. Их компактная конструкция оказалась удобной для поддержания стабильных электрических контактов от 10 минут до более часа.

Программное обеспечение Precisio™ использовали на протяжении всего процесса ― от позиционирования датчиков и их установки в транзисторные узлы до настройки параметров испытаний и сбора результатов измерений путем удаленного управления анализатором параметров полупроводников.

Подробная информация:

Узнайте, как можно использовать нанозондирование in-situ для обнаружения и локализации дефектов в полупроводниках (методы EBIC / EBAC).