Определение характеристик полевого МОП-транзистора* (MOSFET) с помощью нанозондов in-situ

Так как размеры узлов транзисторов продолжают уменьшаться до нескольких десятых нанометров, из-за этого невозможно определить характеристики отдельного транзистора с помощью обычной зондовой станции.

Цель данной статьи описать процедуру определения характеристик полевых транзисторов МОП-структуры с каналом p-типа внутри SEM с помощью нанозондов. Готовое решение для электронных микроскопов от Imina Technologies с четырьмя наноманипуляторами miBot™ позволяет исследователю точно размещать зонды непосредственно на металлических линиях. Электрические измерения выполняются с помощью анализатора параметров полупроводников Keithley 4200-SCS.

Уникальная технология мобильного движения микророботов позволяет оператору регулировать ориентацию зонда в режиме реального времени, чтобы приспособиться к геометрии тестируемого устройства. Это позволяет избежать необходимости открывать вакуумную камеру микроскопа, что значительно увеличивает производительность процесса.

* Полевой МОП-транзистор - полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник

Место проведения эксперимента: Fraunhofer CAM, Halle, Germany 

Подробная информация:

• Узнайте, как можно использовать нанозондирование in-situ для обнаружения и локализации дефектов в полупроводниках (методы EBIC / EBAC) 
• Преимущества готового решения для электронных микроскопов