Локализация короткого замыкания металлических слоев при модификации схемы с помощью методов EBAC и FIB, выполненная при наклоне столика 54°

В области анализа дефектов полупроводников стало популярным использование тока, поглощаемого электронным пучком (EBAC), в сочетании с FIB в ​​двойных пучках для исследования коротких замыканий и разрывов между металлическими линиями.

В данном варианте применения описывается локализация дефекта короткого замыкания между двумя сетями на специализированной ИС от автомобильной промышленности. Эти сети пересекают друг друга в четырех разных местах.

Использовали комбинацию FIB с изображениями EBAC для определения точки пересечения, где находится короткое замыкание с помощью следующей процедуры:

• Столик микроскопа был доведен до угла наклона 54°.
• Два зонда прикрепили на одну из сетей и на землю соответственно.
• Для каждой точки пересечения были записаны изображения EBAC до и после FIB на одной из сетей, близких к пересечению.
• Сравнение изображений EBAC до и после FIB позволило определить местоположение короткого замыкания

Данный вариант применения демонстрирует способность нанозондов miBot™ точно позиционировать и прикреплять зонды при наклоне предметного столика микроскопа.

Место проведения эксперимента: Fraunhofer CAM, Halle, Germany 

Подробная информация:

• W. Courbat and J. Jatzkowski,“Faster and More Accurate Failure Analysis: Circuit Editing and Short Localization Performed at Same FEB Tilt Angle using Multiple Techniques”, Electronic Device Failure Analysis, 21(4), p. 22-28, 2019.
• Узнайте, как можно использовать нанозондирование in-situ для обнаружения и локализации дефектов в полупроводниках (методы EBIC / EBAC).