Методы EBIC / EBAC для анализа дефектов полупроводников

Ток, индуцированный электронным пучком (EBIC) и ток, поглощаемый электронным пучком (EBAC), также называемые резистивной контрастной визуализацией (RCI), - это два метода, используемых для обнаружения и анализа дефектов внутри полупроводниковых устройств. Оба метода используют преимущества взаимодействия электронного луча SEM с тестируемым устройством (DUT), чтобы предоставить информацию об анализе дефектов исследователю.

EBIC для исследования p-n-переходов

Метод EBIC позволяет проводить визуализацию и количественное определение таких свойств, как диффузионная длина p-n-переходов транзистора. В наноманипуляторах с высоким разрешением позиционирования от Imina Technologies иглы зондов располагаются в контакт с переходом для измерения индуцированного тока. Система EBIC усиливает точечные измерения зонда и синхронизирует их с положением электронного луча. Затем эта информация может быть нанесена на карту и наложена на вторичное электронное изображение микроскопа с помощью системы EBIC для визуализации.

EBAC для локализации дефектов в электрической схеме

Метод EBAC основан на том же принципе, что и EBIC. Электронный пучок SEM сканирует тестируемое устройство и вводит заряды, поглощаемые металлическими линиями под поверхностью. Затем ток подается и измеряется с помощью зонда, размещенного наноманипулятором miBot на уровне контакта. Что касается EBIC, то зондируемый сигнал может быть наложен на вторичное электронное изображение. Прямое сравнение этого изображения с деталями схемы позволяет исследователю легко обнаруживать и точно локализовать короткие замыкания и / или обрывы в схеме.

Экспериментальная установка

Измерения, представленные в статье, были выполнены с помощью готового решения для электронных микроскопов от Imina Technologies с четырьмя устройствами miBot™ и тестируемым устройством. Платформа была установлена в FEI Quanta 650 ESEM. Электрические измерения проводились с помощью параметрического анализатора полупроводников Keithley 4200-SCS. Анализ EBIC и EBAC проводился с помощью Point Electronic DISS 5.

Место проведения эксперимента: Fraunhofer CAM, Halle, Germany 

 Подробная информация:

• Узнайте, как можно использовать нанозондирование in-situ для определения характеристик полевого МОП-транзистора (MOSFET) (полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник)
• Преимущества готового решения для электронных микроскопов