Исследование поперечного сечения транзисторов EBIC-методом с помощью адаптера для большого образца

Определение характеристик поперечного сечения полупроводникового устройства EBIC-методом - один из немногих методов анализа дефектов для их локализации в глубине слоев. Он освещает p-n переходы, что дает информацию о профилях распределения примеси и концентрациях, а также о диффузии и рекомбинации неосновных носителей.

Для подготовки поперечного сечения образца необходимо закрепить образец на специальном устройстве, отполировать его сторону и осмотреть в сканирующем электронном микроскопе, чтобы определить, была ли обнаружена интересующая область. Для достижения желаемого места может потребоваться несколько этапов полировки / осмотра.

В данном варианте применения описывается измерение EBIC на поперечном сечении массива транзистора, используя процесс, который экономит время на подготовку образца. Образец остается на специальном устройстве во время полировки, осмотра и зондирования, что экономит время на настройку полировального инструмента и обработку образцов.

Для проведения подобного исследования использовали адаптер для больших образцов вместе со столиком для нанозиндирования. С помощью этого модуля становится возможными измерение образцов с миллиметровой высотой и / или широких образцов (например, 2-дюймовых подложек).